2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[10a-Z29-1~14] 17.3 層状物質

2020年9月10日(木) 08:30 〜 12:15 Z29

若林 整(東工大)

09:30 〜 09:45

[10a-Z29-5] 錫モノカルコゲナイド混晶Sn(S,Se) の単結晶作製

〇(M1)石谷 康平1、武村 友輝1、勝部 涼司1、野瀬 嘉太郎1 (1.京都大)

キーワード:半導体, 層状物質, 固溶体

化合物半導体SnS, SnSeは太陽電池材料や熱電材料として注目されている. それらの混晶Sn(S,Se) 形成により物性を制御することにも興味が持たれるが, 電気的特性評価に供するSn(S,Se) 結晶の作成例はほとんどない. 本研究ではSn-Sn(S,Se) 二相試料を蒸発源として蒸留操作を行うことでSn(S,Se) バルク単結晶を作製し, 物性評価を行った. また, 蒸留前後で混晶の組成のずれは約1%程度であり, 仕込み組成を変えることにより容易に組成制御可能であることを明らかにした.