[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [10p-Z02-11] Internal and External Quantum Efficiency in InGaN Quantum Wells Estimated by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Method and Integrating-Sphere Method

〇Keito Mori¹, Yuchi Takahashi¹, Shigeta Sakai¹, Yuya Morimoto¹, Atsushi Yamaguchi¹, Susumu Kusanagi², Yuya Kanitani², Yoshihiro Kudo², Shigetaka Tomiya² (1.Kanazawa Inst. Tech., 2.Sony Corp.)

Keywords:InGaN, Internal Quantum Efficiency, Photoacoustic

我々は，これまでに，光音響(PA)・発光(PL)同時計測法により，GaN膜とInGaN量子井戸(QW)の内部量子効率(IQE)を推定し，妥当な結果を得ている．本研究では，この手法の妥当性を更に確認するため，同一の7枚のInGaN-QW試料においてIQEと外部量子効率(EQE)の両方を測定し，これらの値を比較を行った．IQEはPA・PL同時計測法で測定し，EQEは積分球を使用して推定した．IQEは，GaN基板上QWで30~40%と推定され，サファイア基板上QWでは4~7%と推定された．一方で，EQEは，GaN基板上QWで10~20%であり，サファイア基板上QWで1~2%だった．全ての試料で，IQEはEQEよりも高く，これらのデータから算出された光取り出し効率は，20~40%であり，妥当な結果であると考えられる．