[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10p-Z02-11] 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定

〇森 恵人¹、高橋 佑知¹、坂井 繁太¹、森本 悠也¹、山口 敦史¹、草薙 進²、蟹谷 裕也²、工藤 喜弘²、冨谷 茂隆² (1.金沢工大、2.ソニー(株))

キーワード：InGaN, 内部量子効率, 光音響

我々は，これまでに，光音響(PA)・発光(PL)同時計測法により，GaN膜とInGaN量子井戸(QW)の内部量子効率(IQE)を推定し，妥当な結果を得ている．本研究では，この手法の妥当性を更に確認するため，同一の7枚のInGaN-QW試料においてIQEと外部量子効率(EQE)の両方を測定し，これらの値を比較を行った．IQEはPA・PL同時計測法で測定し，EQEは積分球を使用して推定した．IQEは，GaN基板上QWで30~40%と推定され，サファイア基板上QWでは4~7%と推定された．一方で，EQEは，GaN基板上QWで10~20%であり，サファイア基板上QWで1~2%だった．全ての試料で，IQEはEQEよりも高く，これらのデータから算出された光取り出し効率は，20~40%であり，妥当な結果であると考えられる．