[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-Z02-14] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(4)

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、稲富 悠也²、小島 一信¹、寒川 義裕² (1.東北大多元研、2.九大応力研)

キーワード：半導体, AlInN, 組成超格子

m面AlInN薄膜成長の際に自己形成されるAlInN/GaN界面のカチオンオーダリング、組成超格子、格子緩和と関連する組成引き込み効果に関するデータに基づき、自己形成モデルを提案する。