[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-Z02-15] Spatially resolved cathodoluminescence study of c-plane AlInN films on GaN substrates

〇(D)Liyang Li¹, Kohei Shima¹, Mizuki Yamanaka², Kazunobu Kojima¹, Takashi Egawa², Tetsuya Takeuchi³, Makoto Miyoshi², Shigefusa F. Chichibu^1,4 (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Nagoya Inst. Tech., 3.Meijo Univ., 4.Nagoya Univ.)

Keywords:Spatially resolved cathodoluminescence, AlInN, localization

AlInNは非混和系であり、表面が平滑で組成が均一な薄膜を得ることは容易ではない。三好らは、GaNテンプレートやGaN基板上に、RMS表面粗さが0.5 nm以下のc面GaNに格子整合するAlInN薄膜の有機金属気相エピタキシャル(MOVPE)成長に成功している。InNモル分率の低いAlInNは通常、数百meVのストークスシフトおよびエネルギー半値全幅を有する発光(便宜上Extended States (EXS)と呼ぶ)を呈する。本講演では、GaN基板上c面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス(SRCL)と時間分解PL評価を行い、AlInNが呈するEXS発光の起源について考察した結果を報告する。