[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-Z02-15] GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス

〇(D)李 リヤン¹、嶋 紘平¹、山中 瑞樹²、小島 一信¹、江川 孝志²、竹内 哲也³、三好 実人²、秩父 重英^1,4 (1.東北大多元研、2.名工大、3.名城大、4.名大IMaSS)

キーワード：空間分解カソードルミネッセンス, 窒化アルミニウムインジウム, 局在化

AlInNは非混和系であり、表面が平滑で組成が均一な薄膜を得ることは容易ではない。三好らは、GaNテンプレートやGaN基板上に、RMS表面粗さが0.5 nm以下のc面GaNに格子整合するAlInN薄膜の有機金属気相エピタキシャル(MOVPE)成長に成功している。InNモル分率の低いAlInNは通常、数百meVのストークスシフトおよびエネルギー半値全幅を有する発光(便宜上Extended States (EXS)と呼ぶ)を呈する。本講演では、GaN基板上c面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス(SRCL)と時間分解PL評価を行い、AlInNが呈するEXS発光の起源について考察した結果を報告する。