[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [10p-Z02-16] CL studies of MOVPE AlN films grown on high-temperature-annealed sputtered AlN (1)

〇Kohei Shima¹, Kanako Shojiki², Kenjiro Uesugi³, Kazunobu Kojima¹, Akira Uedono⁵, Hideto Miyake⁴, Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Grad. School of Eng., Mie Univ., 3.SPORR, Mie Univ., 4.Grad School of RIS, Mie Univ., 5.Univ. of Tsukuba)

Keywords:AlN, Cathodoluminescence, Time resolved luminescence

サファイヤ上にスパッタ堆積させたAlNをアニールして形成するAlNテンプレートがAlGaN系DUV発光素子用基板として注目されている。本研究では、スパッタAlNテンプレート上にMOVPE成長させたAlN薄膜のカソードルミネッセンスおよび時間分解ルミネッセンス評価等を行い、バンド端発光の内部量子効率を制限する要因について考察した。