[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10p-Z02-17] 高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)

〇(M2)粕谷 拓生¹、嶋 紘平¹、正直 花奈子²、上杉 謙次郎³、小島 一信¹、上殿 明良⁵、三宅 秀人⁴、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.三重大院工、3.三重大地域戦略、4.三重大地域イノベ、5.筑波大数物)

キーワード：窒化アルミニウム, 陰極線蛍光

サファイア上にAlN薄膜をスパッタ成膜した後にface-to-face高温アニールを施し、その上にAlN膜をMOVPE成長させることによって形成したAlNテンプレートがAlGaN系深紫外発光素子用基板として注目されている。講演では、異なる条件で作製したスパッタAlN薄膜およびその上にMOVPE成長させたAlN薄膜のCL特性について報告する。