2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年9月10日(木) 13:00 〜 19:15 Z02

岡田 成仁(山口大)、石井 良太(京大)、室谷 英彰(徳山高専)

19:00 〜 19:15

[10p-Z02-22] GaN薄膜光電極の水分解反応中その場フォトルミネッセンス

嶺岸 耕1、沈 昊哉2、Ciftci Oguz2、今関 裕貴2、杉山 正和1,2 (1.東大先端研、2.東大院工)

キーワード:光触媒・光電極, 水素, フォトルミネッセンス

GaNは安定性および電子構造から光触媒あるいは光電極として有用である。GaN薄膜光電極おいて水分解反応中のフォトルミネッセンスを評価した。印加電位を走査しながら測定した結果、フラットバンド電位より高電位では電荷分離によって発光強度が著しく低下する他、表面準位からと考えられるブロードな発光が消光していく様子が見られた。発表では各準位の電位による活性化・不活性化および反応への寄与について述べる。