HVPE法によるSiO<sub>2</sub>ワイドマスクパターンを施したScAlMgO<sub>4</sub>基板上の高品質自立GaN基板の作製

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年9月10日(木) 13:00 〜 19:15 Z02

岡田成仁(山口大)、石井良太(京大)、室谷英彰(徳山高専)

15:00 〜 15:15

〇金子拓司¹、新宮章吾¹、幸康一朗¹、井本良¹、岡田成仁¹、只友一行¹、家地洋之²、山本暁³、大野啓⁴、石橋明彦⁴、福田承生⁵ (1.山口大院創成科学、2.日本大学理工、3.マイクロシステム、4.パナソニック、5.福田結晶)

キーワード：HVPE, SCAM基板, 自立GaN基板