3:45 PM - 4:00 PM
△ [10p-Z04-11] Comparison of characteristics of HfAlOx, HfSiOx, AlSiOx, Al2O3, and HfO2 gate dielectrics for GaN power devices
Keywords:GaN power device, Gate dielectrics, Plasma-Enhanced ALD
GaN HEMTは、リーク電流抑制及び耐圧特性の向上の観点から、大きなバンドギャップ(Bg)、アモルファス構造及び物理膜厚を厚くできる高誘電率(High-k)なゲート絶縁膜が要求されている。しかし、これまでゲート絶縁膜として数多く研究されているHigh-k候補材料について同じ評価法で比較検討した報告例はほとんどない状況である。
そこで、本研究では、Bg及び誘電率の観点から、高Bg及びHigh-kな5種類の候補材料 (HfAlOx、HfSiOx、AlSiOx、Al2O3及びHfO2) を選び、その基本的な特性(耐圧特性、界面特性、誘電率及び結晶性)を調べた結果を報告する。
そこで、本研究では、Bg及び誘電率の観点から、高Bg及びHigh-kな5種類の候補材料 (HfAlOx、HfSiOx、AlSiOx、Al2O3及びHfO2) を選び、その基本的な特性(耐圧特性、界面特性、誘電率及び結晶性)を調べた結果を報告する。