[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [10p-Z04-11] GaNパワーデバイス用HfAlO_x、HfSiO_x、AlSiO_x、Al₂O₃及びHfO₂絶縁膜の特性比較

〇(M2)前田 瑛里香^1,2、生田目 俊秀²、廣瀨 雅史^1,2、井上 万里²、大井 暁彦²、池田 直樹²、塩崎 宏司³、橋詰 保⁴、清野 肇¹ (1.芝浦工大、2.物材機構、3.名大、4.北大)

キーワード：GaNパワーデバイス, ゲート絶縁膜, Plasma-Enhanced ALD

GaN HEMTは、リーク電流抑制及び耐圧特性の向上の観点から、大きなバンドギャップ(B_g)、アモルファス構造及び物理膜厚を厚くできる高誘電率(High-k)なゲート絶縁膜が要求されている。しかし、これまでゲート絶縁膜として数多く研究されているHigh-k候補材料について同じ評価法で比較検討した報告例はほとんどない状況である。
そこで、本研究では、B_g及び誘電率の観点から、高B_g及びHigh-kな5種類の候補材料 (HfAlO_x、HfSiO_x、AlSiO_x、Al₂O₃及びHfO₂) を選び、その基本的な特性（耐圧特性、界面特性、誘電率及び結晶性）を調べた結果を報告する。