[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [10p-Z04-13] p-GaN MIS電気特性評価に向けたAlGaNバリア層の検討

〇(M2)和田 悠平¹、溝端 秀聡¹、野崎 幹人¹、細井 卓治¹、加地 徹²、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.名大IMaSS)

キーワード：GaN, ゲート絶縁膜

MIS型GaNパワーデバイスの実現に向けて、絶縁膜/GaN界面特性の研究が進められている。n-GaNについては良質な界面が報告されている一方で、p-GaN MISキャパシタでは容量蓄積も確認されておらず、詳細な評価すら困難である。本研究では、AlGaNをバリア層としてGaN上にエピタキシャル成長したAlGaN/p-GaN構造を形成し、p-GaN MIS特性の評価を試みた。