[10p-Z04-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10p-Z04-16] Effect of heat treatment atmosphere on V_FB shift of SiO₂/GaN MOS structure

〇Taiki Hirano¹, Mutsunori Uenuma¹, Masaaki Furukawa¹, Yukiharu Uraoka¹, Hideaki Adachi¹ (1.NAIST)

Keywords:GaN, Heat treatment atmsphere, Flat band voltage shift

SiO₂/GaN MOS構造においては、膜中水素に起因するバイアス安定性の変化などが報告されている。そこで本研究では、SiO₂/GaN MOSキャパシタの電気的特性に対するPMA処理時のH₂の影響を評価した。N₂でアニールをした試料はフォーミングガスでアニールした試料に対して少ない電荷注入量を示した。この結果からPMA雰囲気に含まれるH₂が電荷トラップに関連していることが示唆された。