[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-16] SiO₂ /GaN MOS C-V 特性のストレス耐性に対する熱処理雰囲気の影響

〇平野 太基¹、上沼 睦典¹、古川 暢昭¹、浦岡 行治¹、足立 秀明¹ (1.奈良先端大)

キーワード：窒化ガリウム, 熱処理雰囲気, フラットバンド電圧シフト

SiO₂/GaN MOS構造においては、膜中水素に起因するバイアス安定性の変化などが報告されている。そこで本研究では、SiO₂/GaN MOSキャパシタの電気的特性に対するPMA処理時のH₂の影響を評価した。N₂でアニールをした試料はフォーミングガスでアニールした試料に対して少ない電荷注入量を示した。この結果からPMA雰囲気に含まれるH₂が電荷トラップに関連していることが示唆された。