[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-4] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電気的特性のバッファ層構造依存性

〇高橋 英匡¹、安藤 裕二¹、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：半導体, 窒化ガリウム, HEMT

次世代半導体GaNが本来持つポテンシャルを最大限に引き出すため、GaN基板上のGaN-HEMTの開発を進めている。本研究ではGaN基板上にバッファ層の構成を変えて成長したHEMTエピを用いることにより、バッファ層構造のドレイン耐圧や電流コラプスに与える影響について調べた。Cドープ品、Feドープ品とも良好な特性を示した。