[10p-Z04-1~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10p-Z04-7] AlGaN/p-GaN gate-structure for lateral GaN FET and its threshold voltage

〇Masashi Tanimoto¹, Jun Akamatsu¹, Shinichi Tada¹, Yuji Ohmaki¹, Naruhito Iwasa¹, Takashi Mukai¹ (1.Nichia Corporation)

Keywords:GaN, FET, HEMT

GaN系横型FETにおいて、AlGaN/p-GaNゲート構造を用いることで、しきい値を3V超にすることができた。