[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-7] AlGaN/p-GaNゲート構造を用いたしきい値3VのGaN系横型FET

〇谷本 真士¹、赤松 純¹、多田 慎一¹、大巻 雄治¹、岩佐 成人¹、向井 孝志¹ (1.日亜化学工業)

キーワード：GaN, FET, HEMT

GaN系横型FETにおいて、AlGaN/p-GaNゲート構造を用いることで、しきい値を3V超にすることができた。