[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [10p-Z04-9] HfSiO_xゲート AlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート制御性

〇越智 亮太¹、前田 瑛里香^2,3、生田目 俊秀²、塩崎 宏司⁴、橋詰 保^1,4 (1.北大量集センター、2.物材機構、3.芝浦工大、4.名大IMaSS)

キーワード：GaN, 高電子移動度トランジスタ, 高周波増幅器

GaN系HEMTの高周波増幅器への応用には、大振幅動作時のゲート漏れ電流制御の点から、MIS構造が望ましく、high-k膜の適用が望ましい。従来用いられてきたAl₂O₃よりも高い誘電率を持つHfSiO_x(k=13)膜を用い、MOS-HEMTを作製し評価を行ったところ、これまでで最小の界面準位密度を示し、周波数分散は無視できるほど小さかった。また、高温でのしきい値電圧シフトは150mVと極めて低い値を示し、高いゲート制御性が示された。