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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2020年9月10日(木) 12:30 〜 18:00 Z09

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)、蓮沼隆(筑波大)

17:30 〜 17:45

△ [10p-Z09-19] 原子スケールでSiO₂/Si界面の電子フォノン散乱を考慮したSiナノワイヤ中の移動度計算

〇田中貴久¹、矢嶋赳彬¹、内田建¹ (1.東大工)

キーワード：シリコン, ナノワイヤ, 移動度