[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-6] 三次元アトムプローブを用いたWN膜中N濃度定量評価

〇坂本 旭¹、蔵本 明¹、金野 晃之¹ (1.キオクシア)

キーワード：半導体, 三次元アトムプローブ