[10p-Z09-1~20] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-Z09-7] Formation and Characterization of Graphene on SiC Modified by Plasma Oxidation and Wet Etching

〇Makoto Ochi¹, Ouki Minami¹, Yasuhisa Sano¹, Kentaro Kawai¹, Kazuya Yamamura¹, Kenta Arima¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:graphene, SiC, surface modification

SiC基板を用い、真空中で熱分解法により形成するグラフェンには、ピットと呼ばれる欠陥が生成される。我々は、室温でのプラズマ酸化とウェットエッチングを併用し、SiC表面を改質するプロセスの開発を進めている。本プロセスは、分子層オーダーのC堆積層をSiC表面上に形成できるという特徴がある。本稿では、先述の手法で形成したグラフェンの構造の評価と、Ni薄膜を用いたSiC表面からの剥離実験の結果について、報告する。