[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-7] プラズマ酸化とウェットエッチングにより改質したSiC表面上へのグラフェンの形成と評価

〇越智 諒¹、南 映希¹、佐野 泰久¹、川合 健太郎¹、山村 和也¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：グラフェン, SiC, 表面改質

SiC基板を用い、真空中で熱分解法により形成するグラフェンには、ピットと呼ばれる欠陥が生成される。我々は、室温でのプラズマ酸化とウェットエッチングを併用し、SiC表面を改質するプロセスの開発を進めている。本プロセスは、分子層オーダーのC堆積層をSiC表面上に形成できるという特徴がある。本稿では、先述の手法で形成したグラフェンの構造の評価と、Ni薄膜を用いたSiC表面からの剥離実験の結果について、報告する。