[10p-Z09-1~20] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-Z09-9] Evaluation of metal contamination in SiO₂ by Pulse Photoconductivity Method

〇Hiroki Obana¹, Takuma Yamashita¹, Hiroshi Kubota¹, Takeshi Hashishin¹, Masao Yoshioka² (1.GSST Kumamoto Univ., 2.Faculty of Technology Kumamoto Univ.)

Keywords:semiconductor

先端半導体デバイスにおいて、シリコンウェーハ中の金属汚染が電気特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば、イメージセンサでは極微量の金属汚染の影響で未受光にも関わらず電気信号を出力し、白キズとして認識されてしまう。一方で、デバイス形成領域であるウェーハ表層の汚染を非破壊で高感度に分析する手法がないことが課題となっている。そこで、ウェーハ表層の酸化膜の電気伝導率を非破壊・非接触で測定することが可能なパルス光伝導法（PPCM）を提案する。