[10p-Z09-1~20] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-Z09-9] パルス光伝導法によるシリコン酸化膜中の金属汚染評価

〇尾花 宏樹¹、山下 拓真¹、久保田 弘¹、橋新 剛¹、吉岡 昌雄² (1.熊大院自、2.熊大工)

キーワード：半導体

先端半導体デバイスにおいて、シリコンウェーハ中の金属汚染が電気特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば、イメージセンサでは極微量の金属汚染の影響で未受光にも関わらず電気信号を出力し、白キズとして認識されてしまう。一方で、デバイス形成領域であるウェーハ表層の汚染を非破壊で高感度に分析する手法がないことが課題となっている。そこで、ウェーハ表層の酸化膜の電気伝導率を非破壊・非接触で測定することが可能なパルス光伝導法（PPCM）を提案する。