[10p-Z14-1~21] 2.2 検出器開発

[10p-Z14-10] シリコングリッドを用いた画素分離シンチレータ型X線イメージセンサ

〇大竹 涼太¹、田端 健人²、西澤 潤一^2,3、Shairendra Singh³、小池 昭史³、都木 克之³、青木 徹^1,2,3 (1.静岡大院、2.静大電研、3.(株)ANSeeN)

キーワード：X線イメージセンサ, シンチレータ, CsI(Tl)

間接変換型X線イメージセンサでは、シンチレータ層での光拡散に起因する空間分解能の低下が課題となっている。我々はこの課題解決に向けて、シリコン基板を半導体微細加工技術で格子状に加工したシリコングリッドを用いて、シンチレータ材料を画素ごとに分離する手法を検討してきた。本研究では、90 μm×90 μmの角穴を100 μmピッチで空けた400 μm厚シリコングリッドにCsI(Tl)シンチレータを封入し、その入出力特性について調査した。