[10p-Z18-1~16] 3.11 Photonic structures and phenomena

[10p-Z18-11] FDTD analysis of topological edge waveguide in a InGaN/GaN bulk photonic crystal structure in visible wavelength

〇Yuta Moriya¹, Koki Abe¹, Kentaro Kinoshita¹, Daichi Ito¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Photonics Research Center)

Keywords:Photonic Crystals

窒化物半導体系PhCデバイスでは効率的にPhC領域へ光を閉じ込める架橋メンブレン型構造が広く用いられるが、電流駆動システムの実現には困難を伴う。一方、我々は電流駆動PhCデバイス作製を目指して、屈折率導波構造と高アスペクト空孔により光をPhC領域に集中させるバルク型構造の検討を行なっている。これまでに、窒化ガリウム(GaN)の水素雰囲気下での熱分解反応を利用した低損傷極微細ナノ加工技術であるHEATE法を用いて、バルク型PhC構造に不可欠な高密度かつ高アスペクトなGaNナノホールアレイが作製可能であることを報告した。本研究では、GaN系バルク型PhC構造における可視光領域トポロジカルエッジ伝搬の実現に向けたデバイス構造設計と理論解析を行なった。