[10p-Z18-1~16] 3.11 フォトニック構造・現象

[10p-Z18-11] InGaN/GaN系バルク型フォトニック結晶構造における可視域トポロジカルエッジ導波路のFDTD解析

〇森谷 祐太¹、阿部 洸希¹、木下 堅太郎¹、伊藤 大智¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクスリサーチセンター)

キーワード：フォトニック結晶

窒化物半導体系PhCデバイスでは効率的にPhC領域へ光を閉じ込める架橋メンブレン型構造が広く用いられるが、電流駆動システムの実現には困難を伴う。一方、我々は電流駆動PhCデバイス作製を目指して、屈折率導波構造と高アスペクト空孔により光をPhC領域に集中させるバルク型構造の検討を行なっている。これまでに、窒化ガリウム(GaN)の水素雰囲気下での熱分解反応を利用した低損傷極微細ナノ加工技術であるHEATE法を用いて、バルク型PhC構造に不可欠な高密度かつ高アスペクトなGaNナノホールアレイが作製可能であることを報告した。本研究では、GaN系バルク型PhC構造における可視光領域トポロジカルエッジ伝搬の実現に向けたデバイス構造設計と理論解析を行なった。