[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [10p-Z23-10] 4H-SiCにおける表面形状が基底面部分転位対の収縮・拡張に与える影響の解明

〇平能 敦雄¹、榊間 大輝¹、波田野 明日可¹、泉 聡志¹ (1.東大工)

キーワード：転位, 4H-SiC, 反応経路解析

4H-SiC結晶中に存在するBPD(基底面転位)は，大部分がTED(貫通刃状転位)へと変換されているが，変換現象は未だに解明されていない．変換率に影響する要因の1つとして表面形状が挙げられる．そこで本研究では，成膜時のオフ角に着目し，BPD部分転位対が収縮する過程での反応経路解析を行った．その結果，条件によってはステップから離れた位置から収縮が起こりやすく，オフ角が小さいほど収縮しやすいことが分かった．