[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-Z23-11] 不動の基底面転位から拡張する単一ショックレー型積層欠陥

〇西尾 譲司¹、岡田 葵¹、太田 千春¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：炭化珪素, 基底面転位, ショックレー型積層欠陥

4H-SiC エピ層中の三角形状単一ショックレー型積層欠陥拡張前の基底面転位を構成するショックレー部分転位の一方が90°C コアの場合は、もう片方は30°C コアであり、拡張しない組み合わせであることが認識されている。今回、不動であると考えられていた基底面転位から実際に積層欠陥の拡張が起こったケースを捉えて解析を行い、その機構を考察した。