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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2020年9月10日(木) 13:15 〜 18:00 Z23

川西咲子(東北大)、野口宗隆(三菱電機)、俵武志(富士電機)

16:30 〜 16:45

△ [10p-Z23-12] 熱平衡状態における4H-SiCエピタキシャル層中シングルショックレー型積層欠陥の縮小運動

〇(M1)Do Euihyeon¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：シリコンカーバイド, 積層欠陥