[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-Z23-15] 第一原理計算を用いた4H-SiC/SiO₂界面での酸化過程の検討：ウェット酸化の影響

〇清水 紀志¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹、影島 博之²、植松 真司³、白石 賢二⁴ (1.三重大院工、2.島根大院自然科学、3.慶応大理工、4.名大未来研)

キーワード：SiC, 界面, 第一原理計算