[10p-Z23-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[10p-Z23-16] Thermal Oxidation Rates of SiC Surfaces at Temperatures below 1000℃

〇Yuta Murono¹, Haruto Koriyama¹, Yosiharu Enta¹ (1.HIROSAKI Univ.)

Keywords:grouth rate, activation energy, xps

Si より優れた物性を持つSiC 結晶の熱酸化反応は、工学的応用上の重要性から精力的
に研究されているが、そのほとんどは酸化温度1000℃以上の高温領域であり、1000℃以下の比較
的低温での熱酸化反応はあまり報告されていない。低温での熱酸化はSi 同様に重要であり、また
熱酸化反応機構の詳細な解明を行う上でも有用な知見が得られると考えられる。そこで本研究で
は、4H-SiC(0001)Si 面と(000-1)C 面を1000℃以下の温度領域で熱酸化し、X 線光電子分光（XPS）
により酸化速度を調べた。さらに酸化曲線をすでに報告されている酸化モデルで解析し、酸化反
応の活性化エネルギーを明らかにしたので報告する。