[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-Z23-6] 三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウエハエッチング速度と分布の調整方法

入倉 健太¹、林 優也¹、〇羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

キーワード：炭化珪素, 三フッ化塩素, ウエハエッチング

SiCウエハの生産性を上げるために、前報においては、三フッ化塩素(ClF₃)ガスを用いて直径50 mmのSiC（C面）ウエハ全体を素早くエッチングする挙動を調べ、ガス流量により速度と分布が大きく変わることを報告した、本研究においては、ガス濃度と総流量による効果を更に詳細に調べて全体像を捉えたので報告する。