[10p-Z23-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-Z23-9] [第42回論文奨励賞受賞記念講演] Influence of basal-plane dislocation structures on expansion of single Shockley-type stacking faults in forward-current degradation of 4H-SiC p–i–n diodes

〇林 将平¹、山下 任²、先崎 純寿³、宮里 真樹⁴、呂 民雅⁴、宮島 將昭⁴、加藤 智久³、米澤 喜幸³、児島 一聡³、奥村 元³ (1.東レリサーチセンター、2.昭和電工、3.産総研、4.富士電機)

キーワード：SiC, 積層欠陥, 基底面転位