[10p-Z24-1~16] 3.9 Terahertz technologies

[10p-Z24-15] Terahertz Resonant Tunneling Diode Oscillator Integrated with Split-ring Resonator

〇Xiongbin Yu¹, Vanta Mai¹, Yusei Suzuki¹, Safumi Suzuki¹, Masahiro Asada¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Resonant Tunneling Diode, Split-ring resonator, Terahertz oscillator

最近では，テラヘルツ発振回路とベースバンド回路を分離するためのMIM(metal-insulator-metal)キャパシタを取り除いた構造を提案し，構造および製作プロセスの大幅な簡素化を達成した．しかしながら，この発振器では損失が大きいため，MIMキャパシタ有の構造では可能であった1THzを超える高周波での発振は難しく，構造の最適化が必要となっている．今回，metal-insulator-metalキャパシタ無しのRTD発振器の高性能化に向け，スプリットリング共振器を集積した新構造を提案し，その理論検討を行ったので報告する．RTD面積を縮小すると容量が小さくなり周波数が向上し，周波数限界は1.42 THzまで到達することが分かった．発振出力は周波数1 THzにおいて，約100 μWの出力が期待される．