[10p-Z24-1~16] 3.9 テラヘルツ全般

[10p-Z24-15] スプリットリング共振器を集積したテラヘルツ共鳴トンネルダイオード発振器

〇兪 熊斌¹、マイ ヴァンタ¹、鈴木 雄成¹、鈴木 左文¹、浅田 雅洋¹ (1.東工大)

キーワード：共鳴トンネルダイオード, スプリットリング共振器, テラヘルツ発振器

最近では，テラヘルツ発振回路とベースバンド回路を分離するためのMIM(metal-insulator-metal)キャパシタを取り除いた構造を提案し，構造および製作プロセスの大幅な簡素化を達成した．しかしながら，この発振器では損失が大きいため，MIMキャパシタ有の構造では可能であった1THzを超える高周波での発振は難しく，構造の最適化が必要となっている．今回，metal-insulator-metalキャパシタ無しのRTD発振器の高性能化に向け，スプリットリング共振器を集積した新構造を提案し，その理論検討を行ったので報告する．RTD面積を縮小すると容量が小さくなり周波数が向上し，周波数限界は1.42 THzまで到達することが分かった．発振出力は周波数1 THzにおいて，約100 μWの出力が期待される．