2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[10p-Z25-1~17] 12.2 評価・基礎物性

2020年9月10日(木) 13:15 〜 18:00 Z25

中山 泰生(東理大)、松井 弘之(山形大)、中山 健一(阪大)

16:00 〜 16:15

[10p-Z25-11] 結晶性導電性高分子における立体障害の影響と伝導特性

河野 真弥1、山下 侑1,2、糟谷 直孝3、三木江 翼3、尾坂 格3、瀧宮 和男4,5、竹谷 純一1,2,6、渡邉 峻一郎1,6,7 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.広島大院、4.東北大院、5.理研、6.OPERAND-OIL、7.JSTさきがけ)

キーワード:導電性高分子, ドーピング

高分子半導体に対する化学ドーピングでは高分子とドーパントの複合体が形成される。近年、結晶性高分子半導体に対して、ドーパントが秩序的に格納され結晶性超分子構造を形成するドーパント手法が開発されている。本研究では、化学ドーピングによる結晶性導電性高分子の形成における高分子由来の立体障害の影響、及び嵩高いドーパント分子と超分子構造を形成した場合の物性について報告する。