[10p-Z25-1~17] 12.2 評価・基礎物性

[10p-Z25-16] 回転型Kelvin Probe法による表面電位リアルタイム測定装置の改良

〇(M1)大原 正裕¹、田中 有弥^1,2、石井 久夫^1,2,3 (1.千葉大院融合、2.千葉大先進、3.千葉大 MCRC)

キーワード：有機半導体, Kelvin Probe法, 異方性配向

表面電位の膜厚依存性を測定する際や、光照射などの外乱に対する起電力の応答などを測定する際に表面電位をリアルタイムで測定する技術は不可欠である。
前回の講演会では参照電極を回転させることで製膜と測定を同時に行い、完全遮光下での測定を実現する「回転型Kelvin Probe(KP)法」に基づいた接触電位差(CPD)測定装置の開発について報告したが、参照電極の回転に対しブラシで信号を取り出していたため、ブラシの摩擦帯電などによる測定値のドリフトが避けられなかった。本研究では回転電極上に回転によらず一定の容量を持つ容量を加え、無接点で信号を取り出す方式を導入し、さらにバイアス電圧をスキャンするOff-Null(Baikie)法を用いることで測定精度の向上を果たした。