[11a-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-Z01-1] (InGaO₃)_m(ZnO)_n(m = 1,2 n = 1,3)の単結晶育成および物性測定

〇河村 優介¹、小林 裕樹、加瀬 直樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大理)

キーワード：IGZO

透明導電性半導体として注目されているIGZOは薄膜トランジスタ(TFT)などの応用利用が進む一方で、基礎物性の理解に必要な単結晶の研究が遅れていました。本研究では作製されたIGZO単結晶の物性測定から電気伝導機構を考察します。