[11a-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-Z01-11] Au/Mo、Au/Ptメッシュ状電極Mg₂Si PDの分光感度特性

〇市川 雄大¹、新岡 大介¹、宮内 壮流¹、吉田 美沙²、津谷 大樹²、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大、2.NIMS)

キーワード：半導体, マグネシウムシリサイド, フォトダイオード

我々は n型 Mg₂Si基板上に Agを熱拡散させることで pn接合フォトダイオー
ド（ PD）を作製し、分光感度特性を報告してきた。前回、 p型拡散層と金属電極間の仕事関数差を考慮して電極を Tiから Niへ変えることで価電子帯にエネルギー障壁を生じず、受光感度が向上することを報告した。 Mg₂Siの電子親和力から、 Moや Ptを用いることでも Ni同様に受光感度が向上すると考えられる。そこで今回、 Au/Moと Au/Ptのメッシュ状電極 PDを作製し、分光感度特性を評価したので報告する。