[11a-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-Z01-8] n-Ru₂Si₃/p-Siヘテロ接合における光応答特性の評価（II）

〇西 大樹¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：シリサイド半導体, シリサイド

これまで我々は，固相成長法により低電子密度(~10¹⁶ cm^-3)かつ高移動度(~940 cm²/V∙s)，のRu₂Si₃多結晶薄膜を作製し，1.5−4.0 eVの光に対して α > 10⁵ cm^-1の光吸収係数を示すことを報告してきた．また，n-Ru₂Si₃/p-Siヘテロ接合でpnダイオード動作を確認し，その分光感度は多結晶Si ホモ接合の約4倍（at 1.3 eV）であることも明らかにしてきた．今回はヘテロ接合素子の分光感度を詳細に調べるため，2種類のSi基板上にヘテロ接合を作製し，その電流－電圧特性および分光感度の温度依存性を評価したので報告する．