[11a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-Z04-1] GaN結晶の輻射量子効率と炭素不純物濃度の相関

〇小島 一信¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、藤倉 序章²、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.㈱サイオクス)

キーワード：ODPL, GaN, 炭素不純物