[11a-Z04-1~9] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11a-Z04-3] Measurement of Hole Impact Ionization Coefficient in GaN
Utilizing Multi Photon Excitation

〇Seiya Kawasaki¹, Yuto Ando¹, Hirotaka Watanabe², Atsushi Tanaka^2,3, Manato Deki^1,4, Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.NIMS, 4.VBL, Nagoya Univ., 5.Akasaki R.C.)

Keywords:GaN, Multi photon excitation microscope, Impact ionization coefficient

多光子励起はデバイス中の任意の箇所にキャリアを励起可能とする強力なツールである。前回我々は縦型 GaN p-nダイオードにおける多光子励起顕微鏡を用いたOBIC測定を報告した。本研究では多光子OBIC測定をGaNの衝突イオン化係数の測定に応用することで、GaNの正孔の衝突イオン化係数について、従来よりも低い電界領域まで得られたので報告する。