[11a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-Z04-3] 多光子励起を用いたGaNの正孔の衝突イオン化係数の測定

〇川崎 晟也¹、安藤 悠人¹、渡邉 浩崇²、田中 敦之^2,3、出来 真斗^1,4、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.物質・材料研究機構、4.名大VBL、5.赤﨑記念研究センター)

キーワード：窒化ガリウム, 多光子顕微鏡, 衝突イオン化係数

多光子励起はデバイス中の任意の箇所にキャリアを励起可能とする強力なツールである。前回我々は縦型 GaN p-nダイオードにおける多光子励起顕微鏡を用いたOBIC測定を報告した。本研究では多光子OBIC測定をGaNの衝突イオン化係数の測定に応用することで、GaNの正孔の衝突イオン化係数について、従来よりも低い電界領域まで得られたので報告する。