[11a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-Z04-4] 長時間熱処理されたMOVPE p-GaNの順バイアスDLTS測定

〇(M2)吉田 光¹、竹内 和歌奈¹、徳田 豊¹、成田 哲生²、冨田 一義^2,3、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：p-GaN, Mg-doped p-GaN

順バイアスDLTS測定を用い、MOVPE成長p-GaNの少数キャリア（電子）トラップに関する長時間熱処理の効果について検討した。活性化熱処理温度は850 °Cで、熱処理時間5分と300分行った。熱処理時間5分の試料では、E_c – 0.3~0.8 eVの範囲で、局在準位密度が1.4x10¹⁵ eV^-1 cm^-3以下であった。熱処理時間300分の試料では、局在準位密度が1.5x10¹⁵~1.5x10¹⁶ eV^-1 cm^-3と高く、長時間熱処理による高濃度の少数キャリアトラップの形成を示している。