[11a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-Z04-6] GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入(Ⅲ)

〇西村 智朗¹、池田 清治¹、加地 徹² (1.法政大、2.名古屋大)

キーワード：GaN, イオン注入, チャネリング

これまでにMgのGaNへのチャネリングイオン注入の実験結果等について報告してきた。今回は注入分布の横方向への広がりについてイオン軌道のチャネリング条件下でのシミュレーションを行って調べた。180 keV のMg を注入マスク付きのGaN(0001) に<0001>方向からチャネリング注入した場合のシミュレーションでは、ランダム注入の場合と比較して横広がりが少なく、マスク形状通りの注入が期待出来ることが分かった。