[11a-Z06-1~12] 6.6 プローブ顕微鏡

[11a-Z06-9] 光励起多探針STMを用いたWS₂/WSe₂面内ヘテロ接合デバイス評価

〇茂木 裕幸¹、菊地 隆生¹、水野 良祐¹、和田 尚樹²、宮田 耕充²、吉田 昭二¹、武内 修¹、重川 秀実¹ (1.筑波大数理、2.都立大理)

キーワード：走査トンネル顕微鏡, 多探針, 遷移金属ダイカルコゲナイド

遷移金属ダイカルコゲナイド系(TMDCs)二次元半導体は、組成変調等によりヘテロ接合を利用したデバイス応用が期待されており、大きなバンドオフセット差が得られると期待される面内ヘテロ接合においてはナノスケールでの評価が重要であるが、未だそのような報告は少ない。本研究では、発表者らが開発した光励起多探針走査トンネル顕微鏡を用いてWS₂/WSe₂面内ヘテロ接合デバイスの顕微的評価を行った結果を報告する。