[11a-Z07-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11a-Z07-6] HfO₂を用いたチャージトラップメモリのアナログ動作における印加パルス極性の影響

〇(M1)大西 寿仁¹、奈良 安雄¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：HfO2, チャージトラップメモリ, フラットバンド電圧