2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11a-Z07-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年9月11日(金) 09:00 〜 11:30 Z07

新宮原 正三(関西大)

11:00 〜 11:15

[11a-Z07-8] BiVO4の薄膜形成と光触媒の可視光応答評価

小西 智貴1,2、番 貴彦1,2、山本 伸一1,2 (1.龍谷大理工、2.山本研)

キーワード:光触媒, バナジン酸ビスマス

高周波マグネトロンスパッタリング装置を用い、BiVO4光触媒の薄膜化を目指した。スパッタ成膜を30_60_90_600 min.それぞれの条件で行った。アニール時間、温度でも条件振りを行った。また、スパッタ成膜の前工程、後工程にV2O5を基板に成膜する手順を加えた。結果として、600 min.成膜したものと、スパッタリングを行う前工程にV2O5を成膜したものから、BiVO4の薄膜化と、光触媒反応を確認することが出来た。